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英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌IGBTM模塊FZ1500R33HE3
3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌IGBT斬波模塊FD400R12KE3
直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對直流的轉換器 已被廣泛使用，如直流電機的速度控制、交換式電源供應器(Switching-Power-Supply)等。
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英飛凌IGBT模塊FZ1200R12HP4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C
直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對直流的轉換器 已被廣泛使用，如直流電機的速度控制、交換式電源供應器(Switching-Power-Supply)等。
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英飛凌大功率IGBT模塊FZ2400R12KE3
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌IGBT斬波模塊FD400R16KF4
直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對直流的轉換器 已被廣泛使用，如直流電機的速度控制、交換式電源供應器(Switching-Power-Supply)等。
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英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小
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英飛凌IGBT模塊FF450R12ME4
主要代理及經(jīng)銷(xiāo)德國infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門(mén)康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達，美國IR，瑞士ABB，英國西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、BUSSMANN快熔
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英飛凌IGBT模塊FF450R06ME3
專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售代理國內外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷(xiāo)德國infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門(mén)康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達，美國IR，瑞士ABB，英國西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭
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英飛凌IGBT模塊FF450R12ME3
專(zhuān)業(yè)銷(xiāo)售代理國內外電力電子器件和功率模塊；主要代理及經(jīng)銷(xiāo)德國infneon（英飛凌）;EUPEC（優(yōu)派克）、西門(mén)康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、東芝、日立、三社、三肯、因達，美國IR，瑞士ABB，英國西瑪，西班牙CAEC等公司生產(chǎn)的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流橋、二極管、場(chǎng)效應模塊；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法國羅蘭
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英飛凌IGBT模塊FF300R12KT3
制造商：Infineon產(chǎn)品種類(lèi)：IGBT 模塊產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules配置：Dual集電極—發(fā)射極Z大電壓 VCEO：1200 V在25 C的連續集電極電流：480 AZ大工作溫度： 125 C封裝 / 箱體：62MM柵極/發(fā)射極Z大電壓： /- 20 VZ小工作溫度：- 40 C安裝風(fēng)格：Screw
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