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日立IGBT模塊MBN1200E17D

日立IGBT模塊MBN1200E17D

型    號: MBN1200E17D
報    價(jià): 9999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動(dòng)電流較大;MOSFET驅動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導通壓降大,載流密度小

詳細資料:

北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷(xiāo)售日立IGBT模塊MBN1200E17D

VCES=1700V  ; IC=1200A

Silicon N-channel IGBT

∗ Low noise due to ultra soft fast recovery diode. 
∗ High reliability, high durability module. 
∗ High thermal fatigue durability.(delta Tc=70°C, N>30,000cycles) 
∗ Isolated heat sink (terminal to base).

∗ High speed, low loss IGBT module. 
∗ Low driving power due to low input  capacitance MOS gate. 

日立IGBT模塊型號:

MBN200GS6AW、

MBN325A18、

MBN300GS6AW、

MBN1800D17、

MBN400GS6AW、

MBN200GS12AW、

MBN300GS12AW(BW)、

MBN400GS(NS)12AW(BW)、

MBN600GS(NS)12AW(BW)、

MBN800GS12AW(BW)、

MBN1000QS12AW(BW)、

MBN1000JS12AW、

MBN800GR17、

MBN1200GS(NS)12AW、

MBN325C20、

MBN400C20、

MBN500C20、

MBN600C20、

MBN600C33A、

MBN1200D25AW(B)、

MBN400D33、

MBN600D33、

MBN1200D33AW、

MBM100AS6、

MBM150GS6AW、

MBM200GS6AW、

MBM200BS6、

MBM200HS6A(6G)、

MBM300GS6AW、

MBM300HR6HY、

MBM300HS6B(6H)、

MBM400GS(JS)6AW、

MBM400HS6A、

MBM600GS6CW、

MBM75GS12A、

MBM100GS12A、

MBM150GS12AW(EBW)、

MBM200GS12AW(EBW)、

MBM200JS12AW、

MBM300GS(NS)12AW、

MBM400QS12AW、

MBM600QS12AW、

MBM300HT12、

MBM150HT12、

MBB100AS6、

MBB75GS12A、

MBB100GS12A。

 


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